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9月6日，第三代半导体产业创新发展大会在南京江宁开发区举行。记者从大会上获悉，国家第三代半导体技术创新中心（南京）一期项目竣工投产，依托6英寸（碳化硅）电力电子器件研发与中试平台，在国内率先突破6英寸碳化硅MOSFET批量生产技术，形成具有自主知识产权的碳化硅器件技术体系。二期项目计划于2024年开建，重点打造8英寸第三代半导体芯片制造、先进晶圆封装、模块封装平台，据悉，进军8英寸衬底在业内被视为降低成本的关键之举。活动现场还集中签约10个项目，形成从装备到材料、芯片、模组、封装检测及下游应用的产业链布局。
（江苏广电总台·融媒体新闻中心记者/罗聪懿 张正 江宁台 编辑/赵黎静）
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