6月30日，位于重庆高新区的联合微电子中心有限责任公司发布硅光130nm Cu工艺、氮化硅光电子工艺和三维集成工艺三项PDK（制程设计工具）。此次系列PDK的发布，标志着该公司成为国内首个基于8英寸工艺线同时开放硅基光电子、异质异构三维集成等四套工艺的光电集成高端特色工艺平台，器件性能和工艺能力处于国内领先、国际先进水平。

　　硅基光电子是研究和开发以光子和电子为信息载体的硅基大规模集成技术，能够大大提高集成芯片的性能，是大数据、人工智能、未来移动通信等新兴产业的基础性支撑技术。目前，正大力发展的大数据中心、5G、物联网等产业，对硅基光电子技术需求非常迫切。去年5月联合微电子中心发布“180nm（纳米）成套硅光工艺PDK（制程设计工具）”，这是我国首个自主开发的180nm 成套硅光工艺。此次三套工艺PDK发布，是该中心在工艺平台建设和技术创新领域取得的又一重大突破。

硅光130nm Cu工艺工艺及典型器件性能

　　据了解，130nm成套硅光工艺PDK相比上次发布的180nm 成套硅光工艺，在工艺上实现了更小的线宽，从180nm到130nm，后道工艺从单层铝互连到双层铜互连，耦合器和有源器件性能得到较大升级，调制器带宽大于30GHz（吉赫），并提供完整的器件库，达到国际硅光平台第一梯队的水平。

　　300nm氮化硅光电子工艺PDK在硅晶圆上制备300nm厚度的低损耗氮化硅无源器件。氮化硅波导损耗<0.1dB/cm，达到国际主流工艺平台水平。

　　CUMEC公司首次发布三维集成工艺PDK，实现三维系统集成或三维单片系统芯片的3D集成制造的同时，可提供高速信号传输硅转接板集成封装，达到国际主流工艺水平。